单 FET,MOSFET
结果 : 5
制造商
系列
FET 类型
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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4,616 现货 450 工厂 | 1 : ¥68.47000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1200 V | 3A(Tc) | 10V | 4.5 欧姆 @ 500mA,10V | 5V @ 1.5mA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1050 pF @ 25 V | - | 200W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 | |||
310 现货 | 1 : ¥92.03000 管件 | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 48A(Tc) | 10V | 85 毫欧 @ 500mA,10V | 4.5V @ 250µA | 103 nC @ 10 V | ±20V | 5400 pF @ 25 V | - | 462W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247(IXTH) | TO-247-3 | |||
30 现货 | 1 : ¥35.71000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 25A(Ta) | 10V | 125 毫欧 @ 7.5A,10V | 3.5V @ 1.2mA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 2400 pF @ 300 V | - | 180W(Tc) | 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247 | TO-247-3 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥297.11000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 24A(Tc) | 20V | 300 毫欧 @ 500mA,20V | 5V @ 250µA | 160 nC @ 20 V | ±30V | 2500 pF @ 25 V | - | 400W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247(IXTH) | TO-247-3 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥86.12000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 30A(Tc) | 10V | 240 毫欧 @ 15A,10V | 5V @ 4mA | 82 nC @ 10 V | ±30V | 4000 pF @ 25 V | - | 500W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD(IXFH) | TO-247-3 |
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