单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A12A（Tc）18A（Tc）55A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 22A，10V16.5 毫欧 @ 31A，10V77 毫欧 @ 12A，10V213 毫欧 @ 1A，4V286 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V19 nC @ 10 V43 nC @ 10 V67 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
765 pF @ 75 V1010 pF @ 50 V1812 pF @ 25 V3840 pF @ 30 V4355 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
830mW3.1W（Ta），156W（Tc）56.8W（Tc）83W（Tc）115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）PowerPAK® SO-8SOT-23-3LTO-220ABTO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,245
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.03577
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
6V，10V
213 毫欧 @ 1A，4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252AA
FDD770N15A
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
onsemi
6,176
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.74853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
18A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
765 pF @ 75 V
-
56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD18531Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
1,758
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
250 : ¥10.42904
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRFZ44VPBF
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
Infineon Technologies
1,897
现货
1 : ¥16.91000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
55A（Tc）
10V
16.5 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1812 pF @ 25 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.11994
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3A
4.5V，10V
286 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 50 V
-
830mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3L
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。