单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsWolfspeed, Inc.
系列
C3M™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A（Tc）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.5 毫欧 @ 10A，10V79 毫欧 @ 13.2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 250µA3.6V @ 3.64mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V46 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+19V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1170 pF @ 400 V1680 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），83W（Tc）131W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）TOLL
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD19537Q3
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
4,894
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.07443
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
C3M0045065L
C3M0060065L-TR
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Wolfspeed, Inc.
2,381
现货
1 : ¥113.54000
剪切带（CT）
2,000 : ¥66.90991
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
15V
79 毫欧 @ 13.2A，15V
3.6V @ 3.64mA
46 nC @ 15 V
+19V，-8V
1170 pF @ 400 V
-
131W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。