单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™ P7CoolMOS™PFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Tc）3A（Tc）10A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 2.9A，10V2 欧姆 @ 940mA，10V3.3 欧姆 @ 590mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 30µA3.5V @ 50µA4.5V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V12.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
120 pF @ 500 V175 pF @ 500 V534 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
6.1W（Tc）6.4W（Tc）7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223PG-SOT223-3-1
封装/外壳
TO-261-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
7,549
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.26158
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
1.9A（Tc）
10V
3.3 欧姆 @ 590mA，10V
3.5V @ 30µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 500 V
-
6.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
600VMOS
IPN60R360PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Infineon Technologies
13,117
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.26134
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 2.9A，10V
4.5V @ 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
-
7W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-3-1
TO-261-3
PG-SOT223
IPN80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Infineon Technologies
6,000
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.86536
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
3A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 940mA，10V
3.5V @ 50µA
9 nC @ 10 V
±20V
175 pF @ 500 V
-
6.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。