单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）12.5A（Tc）18A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 100A，10V180 毫欧 @ 5.6A，10V210 毫欧 @ 4.9A，10V280 毫欧 @ 3.8A，10V360 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 150µA3.5V @ 270µA4V @ 190µA4V @ 280µA4.5V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.4 nC @ 10 V18 nC @ 10 V23 nC @ 10 V25 nC @ 10 V206 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
517 pF @ 400 V761 pF @ 400 V1015 pF @ 400 V1081 pF @ 400 V14200 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
53W（Tc）59.4W（Tc）64W（Tc）72W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-TO263-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
105,859
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94115
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12.5A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
4,886
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.18444
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
12A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 3.8A，10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
32,621
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.52228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
18A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 5.6A，10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
3,076
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.29322
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
12A（Tc）
10V
210 毫欧 @ 4.9A，10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 400 V
-
64W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
14,144
现货
1 : ¥45.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.51501
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 270µA
206 nC @ 10 V
±20V
14200 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。