单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-DUAL COOL®eGaN®OptiMOS™OptiMOS™ 5PowerTrench®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V120 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Tc)13.4A(Ta),98A(Tc)23A(Ta),165A(Tc)36A(Ta),235A(Tc)50A(Ta)56A(Tc)64A(Tc)80A(Ta)83A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)102A(Ta)114A(Tc)169A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 50A,10V2.2 毫欧 @ 30A,5V3.1 毫欧 @ 32A,5V4 毫欧 @ 50A,10V4.45 毫欧 @ 95A,10V6.3 毫欧 @ 80A,10V7.4 毫欧 @ 50A,10V7.7 毫欧 @ 50A,10V7.8 毫欧 @ 30A,10V9 毫欧 @ 32A,10V10.8 毫欧 @ 83A,10V13.8 毫欧 @ 25A,10V16 毫欧 @ 28A,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 11mA2.5V @ 250µA2.5V @ 8mA3V @ 1mA3.8V @ 95µA4V @ 110µA4V @ 160µA4V @ 250µA4.3V @ 1mA4.5V @ 521µA4.6V @ 136µA4.6V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 5 V23.1 nC @ 10 V24 nC @ 5 V44 nC @ 10 V49 nC @ 10 V52 nC @ 10 V55 nC @ 10 V72 nC @ 10 V79 nC @ 10 V88 nC @ 10 V90 nC @ 10 V91 nC @ 10 V124 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V6V+10V,-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V1820 pF @ 75 V2900 pF @ 75 V3195 pF @ 100 V3224 pF @ 60 V3230 pF @ 75 V4000 pF @ 75 V5300 pF @ 50 V5400 pF @ 75 V5700 pF @ 60 V5805 pF @ 75 V6290 pF @ 10 V6514 pF @ 75 V6660 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)960mW(Ta),210W(Tc)2.5W(Ta),139W(Tc)2.9W3.8W(Ta),167W(Tc)5W(Ta),292W(Tc)90W(Tc)96W(Tc)139W(Tc)214W(Tc)500W(Tj)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)7-QFN(3x5)8-HPSOF8-SOP Advance(5x5)8-TDFNW(8.3x8.4)DPAK+PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-7PG-TO263-3PG-TSON-8-3PowerDI5060-8SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
688,027
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37017
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC160N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Infineon Technologies
9,679
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.51607
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
56A(Tc)
8V,10V
16 毫欧 @ 28A,10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
51,578
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.54132
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 95µA
72 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC077N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Infineon Technologies
17,874
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.26394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
13.4A(Ta),98A(Tc)
10V
7.7 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 110µA
88 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 60 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
BSC0805LSATMA1
BSC074N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Infineon Technologies
3,641
现货
1 : ¥39.82000
剪切带(CT)
5,000 : ¥18.60994
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
114A(Tc)
8V,10V
7.4 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 136µA
52 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装,可润湿侧翼
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
20,657
现货
1 : ¥69.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.71107
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
102A(Ta)
5V
3.1 毫欧 @ 32A,5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V,-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
DMPH4015SPSQ-13
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
6,377
现货
132,500
工厂
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.42832
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
90A(Tc)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
3224 pF @ 60 V
-
2.9W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
2,788
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
4,000 : ¥10.36656
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
56A(Tc)
8V,10V
16 毫欧 @ 28A,10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
4,386
现货
1 : ¥16.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.66268
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Ta)
6V,10V
13.8 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V,-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W(Tc)
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C612NLT1G
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
onsemi
760
现货
90,000
工厂
1 : ¥21.59000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.22921
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Ta),235A(Tc)
4.5V,10V
1.5 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
10,781
现货
1 : ¥21.92000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.61892
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
64A(Tc)
8V,10V
9 毫欧 @ 32A,10V
4.3V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
960mW(Ta),210W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Infineon Technologies
3,927
现货
1 : ¥24.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.34415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
83A(Tc)
8V,10V
10.8 毫欧 @ 83A,10V
4V @ 160µA
55 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-PowerDFN
FDBL0630N150
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
onsemi
4,780
现货
1 : ¥48.03000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.37970
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
169A(Tc)
10V
6.3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5805 pF @ 75 V
-
500W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
8-TDFNW
NVMTSC4D3N15MC
PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
onsemi
2,905
现货
1 : ¥49.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥24.03857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
23A(Ta),165A(Tc)
10V
4.45 毫欧 @ 95A,10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W(Ta),292W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装,可润湿侧翼
8-TDFNW(8.3x8.4)
8-PowerTDFN
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
80A(Ta)
5V
2.2 毫欧 @ 30A,5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。