单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）15A（Ta）17A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.1 毫欧 @ 35A，10V59 毫欧 @ 5A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
454 pF @ 50 V563 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）2.8W（Ta），23W（Tc）3.6W（Ta），61W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-VSONP（3x3.3）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-VSONP
CSD19538Q3A
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Texas Instruments
14,900
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78422
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），23W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
18,594
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.25108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），71A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），61W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。