单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-CoolMOS™NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）34A（Tc）47A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V32 毫欧 @ 34A，10V70 毫欧 @ 30A，10V1 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3.9V @ 2.7mA4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 10 V29 nC @ 10 V53 nC @ 10 V320 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
141 pF @ 50 V2350 pF @ 100 V4230 pF @ 30 V6800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）136W（Tc）415W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-TO247-3-1PG-TO252-3SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
81,388
现货
366,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
600mA（Ta）
6V，10V
1 欧姆 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,451
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74935
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Infineon Technologies
3,009
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.79284
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
34A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
2,262
现货
1 : ¥125.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
47A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 30A，10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。