单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Ta）86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 17A，10V28 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1490 pF @ 50 V2120 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta）2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DIRECTFET™ MNSOT-223-4
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MNTO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
FDT86102LZ
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
onsemi
6,533
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥7.83226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 6.6A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
IRF6614TR1PBF
IRF6648TRPBF
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Infineon Technologies
16,227
现货
1 : ¥18.72000
剪切带（CT）
4,800 : ¥8.12261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
86A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 17A，10V
4.9V @ 150µA
50 nC @ 10 V
±20V
2120 pF @ 25 V
-
2.8W（Ta），89W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DIRECTFET™ MN
DirectFET™ 等容 MN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。