单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）13A（Ta），64A（Tc）90A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V9.5 毫欧 @ 20A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 29µA2.4V @ 580µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.233 nC @ 10 V34.6 nC @ 10 V36.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V2312 pF @ 20 V2500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）3.2W（Ta），75W（Tc）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PG-TSDSON-8-33SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Diodes Incorporated
32,858
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.233 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Infineon Technologies
4,077
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.36785
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tj）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 29µA
36.7 nC @ 10 V
±16V
2500 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS9D6P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
onsemi
18,924
现货
3,000
工厂
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.13151
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），64A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 580µA
34.6 nC @ 10 V
±20V
2312 pF @ 20 V
-
3.2W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。