单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 4.5A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V969 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
300mW1.2W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3TSOT-23-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AP6320x
DMP6110SVT-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Diodes Incorporated
65,137
现货
1,776,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.3A（Tc）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-23-3
BS870Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
8,545
现货
93,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40896
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。