单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）12.8A（Tc）15A（Tc）31A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1，6V @ 2，6mA1，6V @ 960µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
157 pF @ 400 V380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
55，5W（Tc）62.5W（Tc）114W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-DSO-20-85PG-HSOF-8-3PG-LSON-8-1PG-TSON-8-6
封装/外壳
8-LDFN 裸焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFN20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,795
现货
1 : ¥94.74000
剪切带（CT）
2,000 : ¥55.82667
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
31A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-3
8-PowerSFN
4,085
现货
1 : ¥47.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥22.37172
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
12.8A（Tc）
-
-
1，6V @ 960µA
-10V
157 pF @ 400 V
-
55，5W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-6
8-PowerTDFN
2,224
现货
1 : ¥52.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥25.35084
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
10A（Tc）
-
-
1，6V @ 960µA
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
1,479
现货
1 : ¥93.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥54.80045
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
15A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-10V
380 pF @ 400 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
794
现货
1 : ¥101.56000
剪切带（CT）
800 : ¥70.09563
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
31A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-DSO-20-85
20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。