单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IIIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）380mA（Ta）820mA（Ta）1.6A（Ta）2.5A（Ta）3.5A（Ta）6A（Ta）9.9A（Ta），14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.2 毫欧 @ 10A，10V36 毫欧 @ 5A，10V69 毫欧 @ 2A，10V95 毫欧 @ 3.8A，10V140 毫欧 @ 1.8A，10V750 毫欧 @ 430mA，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V2.8 欧姆 @ 250mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 100µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V3.1 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V8.6 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V26 pF @ 10 V50 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V254 pF @ 25 V315 pF @ 40 V430 pF @ 15 V550 pF @ 10 V4000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）300mW（Ta）310mW（Ta）650mW（Ta）700mW（Ta）1.2W（Ta）1.25W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）8-SOSOT-23-3SOT-23FSOT-323UMT3F
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323SC-85SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630,845
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,095
现货
2,184,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
266,728
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN6140L-13
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Diodes Incorporated
196,821
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.46858
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
31,948
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
516,738
现货
672,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
23,656
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8-SOIC
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Vishay Siliconix
45,330
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.63259
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.9A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
14.2 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
163,276
现货
810,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.24483
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
380mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。