单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS®-P2OptiMOS™TrenchFET®TrenchP™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V50 V55 V60 V80 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)8A(Tc)11A(Ta)31A(Tc)55A(Tc)60A(Tc)65A(Tc)80A(Ta)100A(Tc)110A(Tc)120A(Tc)140A(Tc)195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 195A,10V2.3 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 30A,10V3.4 毫欧 @ 100A,10V5.2 毫欧 @ 40A,10V6.9 毫欧 @ 30A,10V9 毫欧 @ 70A,10V9.2 毫欧 @ 18.6A,10V11 毫欧 @ 100A,10V11.2 毫欧 @ 20A,10V19 毫欧 @ 30A,10V30 毫欧 @ 30A,10V65 毫欧 @ 16A,10V85 毫欧 @ 3.5A,10V,1.17 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 5.55mA2.2V @ 340µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V63 nC @ 10 V115 nC @ 10 V130 nC @ 10 V140 nC @ 10 V155 nC @ 10 V158 nC @ 10 V162 nC @ 4.5 V200 nC @ 10 V234 nC @ 10 V270 nC @ 10 V281 nC @ 10 V345 nC @ 10 V800 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V+10V,-20V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 10 V1140 pF @ 30 V1200 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V5100 pF @ 25 V5660 pF @ 20 V7770 pF @ 10 V8500 pF @ 30 V10315 pF @ 25 V10850 pF @ 40 V11400 pF @ 25 V13500 pF @ 25 V15000 pF @ 25 V39000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)1.9W(Ta)3.75W(Ta),125W(Tc)3.75W(Ta),375W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)13.6W(Ta),375W(Tc)45W(Tc)100W(Tc)110W(Tc)136W(Tc)298W(Tc)300W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
供应商器件封装
D2PAKDPAK+PG-TO263-3-2PowerPAK® SO-8SOT-323TO-252AA (DPAK)TO-263(D2PAK)TO-263AA
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,507
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40362
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO252-3
IRFR5305TRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
9,933
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.39554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,561
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.03569
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5660 pF @ 20 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM55P06-19L-E3
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Vishay Siliconix
2,836
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
800 : ¥12.99756
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
63,945
现货
1 : ¥30.13000
剪切带(CT)
800 : ¥18.18246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
6.9 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
8,825
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
+5V,-16V
15000 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB110P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Infineon Technologies
896
现货
1 : ¥33.74000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.45454
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 100A,10V
2V @ 5.55mA
281 nC @ 10 V
±20V
8500 pF @ 30 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
45,998
现货
1 : ¥36.70000
剪切带(CT)
800 : ¥22.15600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
110A(Tc)
4.5V,10V
11.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM65N20-30-E3
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Vishay Siliconix
5,049
现货
1 : ¥38.67000
剪切带(CT)
800 : ¥23.33144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
65A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Littelfuse Inc.
784
现货
1 : ¥63.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
140A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPak SO-8L
SQJ465EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,287
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.35760
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 3.5A,10V,1.17 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 30 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SQM40031EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
1,838
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
800 : ¥13.92239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
800 nC @ 10 V
±20V
39000 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS3034TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
3,182
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
800 : ¥14.56718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
195A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 195A,10V
2.5V @ 250µA
162 nC @ 4.5 V
±20V
10315 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
5,565
现货
1 : ¥17.57000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.16775
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Ta)
6V,10V
5.2 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 1mA
158 nC @ 10 V
+10V,-20V
7770 pF @ 10 V
-
100W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SI7463DP-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,435
现货
1 : ¥29.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.74914
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
11A(Ta)
4.5V,10V
9.2 毫欧 @ 18.6A,10V
3V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。