单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）12.4A（Ta），60A（Tc）20A（Ta），78A（Tc）33A（Ta），100A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 30A，10V3 毫欧 @ 50A，10V3.7 毫欧 @ 30A，10V8 毫欧 @ 13A，10V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA3.8V @ 95µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V39 nC @ 10 V55 nC @ 10 V76 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V1100 pF @ 15 V2700 pF @ 12 V3000 pF @ 50 V5600 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），37W（Tc）2.5W（Ta），74W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
10,150
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.01200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.4A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
18,680
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.97509
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
43,412
现货
309,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-Power TDFN
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Infineon Technologies
29,157
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.38393
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,412
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.31751
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
33A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。