单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta）8.7A（Ta），40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 30A，10V25 毫欧 @ 3A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33.7 nC @ 10 V38.6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1643 pF @ 20 V1918 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
810mW（Ta）2.3W（Ta），60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
POWERDI3333-8PowerDI3333-8（SWP）UX 类
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMP4025SFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
4,589
现货
42,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80575
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMPH4025SFVWQ-13
MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,250
现货
129,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.70918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.7A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 30A，10V
1.8V @ 250µA
38.6 nC @ 10 V
±20V
1918 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI3333-8（SWP）UX 类
8-PowerVDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。