单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ G7SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
280mA(Ta)75A(Tc)287A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 50A,10V28 毫欧 @ 28.8A,10V3.5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26µA2V @ 250µA4V @ 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V123 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
43 pF @ 25 V4820 pF @ 400 V8900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)200W(Tc)391W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)PG-HSOF-8-2PG-SOT323
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN,5 引线SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
1,221
现货
108,000
工厂
1 : ¥48.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥24.96454
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
287A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,433
现货
1 : ¥112.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.51379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 28.8A,10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
SOT-323
BSS138WH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
148,419
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54070
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。