单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedEPC
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 500mA，8V100 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-12V+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 100 V228 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
810mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
X4-DSN1006-3模具
封装/外壳
3-XFDFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
12,716
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.80765
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
X4-DSN1006-3
DMP2078LCA3-7
MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Diodes Incorporated
26,061
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.68339
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.4A（Ta）
1.8V，8V
78 毫欧 @ 500mA，8V
1.2V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
-12V
228 pF @ 10 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X4-DSN1006-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。