单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）320mA（Ta）2A（Ta）4.2A（Ta）8A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.5 毫欧 @ 20A，10V68 毫欧 @ 6A，10V85 毫欧 @ 3.2A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V12.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V50 pF @ 10 V606 pF @ 20 V879 pF @ 30 V3369 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300mW（Tj）800mW（Ta）1.5W（Ta），107W（Tc）2.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN3333-8PowerDI5060-8（UX 类）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
745,847
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
61,731
现货
789,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI5060 UX
DMTH15H017LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Diodes Incorporated
3,313
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.42040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
17.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3369 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI5060-8（UX 类）
8-PowerTDFN
SOT 23-3
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
14,576
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43247
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DFN3333-8
PJQ4463AP-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
17,744
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.25694
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
879 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。