单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
PowerTrench®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Ta），61.3A（Tc）58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 29A，10V15 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 500µA4.5V @ 162µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2120 pF @ 75 V4670 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），107.1W（Tc）87W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,565
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.73746
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
58A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 29A，10V
2.4V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
4670 pF @ 20 V
-
87W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
NVDS015N15MCT4G
PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
onsemi
2,876
现货
27,500
工厂
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.10635
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
10.5A（Ta），61.3A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 29A，10V
4.5V @ 162µA
27 nC @ 10 V
±20V
2120 pF @ 75 V
-
3.1W（Ta），107.1W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。