单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-PowerMESH™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
50 V60 V300 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）320mA（Ta）4.3A（Tc）28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
129 毫欧 @ 14A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2.4 欧姆 @ 2.15A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.3V @ 250µA4.5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V45.5 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V50 pF @ 25 V910 pF @ 25 V2250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）300mW（Ta）110W（Tc）250W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-220TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
246,810
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29869
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
352,864
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52957
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
onsemi
3,891
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
800 : ¥9.66024
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
28A（Tc）
10V
129 毫欧 @ 14A，10V
5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
STP5NK80Z
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
STMicroelectronics
1,196
现货
1 : ¥18.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
4.3A（Tc）
10V
2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
4.5V @ 100µA
45.5 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。