单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.9 毫欧 @ 58A，18V105 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4.8V @ 30.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V170 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±20V+21V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
759 pF @ 30 V4580 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）312W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SuperSOT™-6TO-247-4L
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
22,255
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SCT4026DRHRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
402
现货
1 : ¥331.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
105A（Tc）
18V
16.9 毫欧 @ 58A，18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V，-4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。