单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）1.7A（Ta）4A（Ta）56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 28A，10V110 毫欧 @ 4A，10V150 毫欧 @ 1.7A，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）1.5V @ 100µA2.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V2.93 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33 pF @ 5 V258 pF @ 15 V785 pF @ 30 V4200 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）625mW（Ta）3.1W（Ta）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）SOT-223SOT-23-3TO-220SIS
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
NTS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
47,822
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
ZXMN3B01FTA
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
25,553
现货
501,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43357
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.7A（Ta）
2.5V，4.5V
150 毫欧 @ 1.7A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
2.93 nC @ 4.5 V
±12V
258 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
122
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
56A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 1mA
69 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 60 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
TO-261-4, TO-261AA
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
7,551
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.14195
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。