单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPConsemi
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Ta），54A（Tc）102A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 32A，5V12.2mOhm @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 8mA3V @ 77µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V24 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1338 pF @ 50 V3195 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），79W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）7-QFN（3x5）
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFN，5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
20,657
现货
1 : ¥69.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.71107
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1 毫欧 @ 32A，5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V，-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFWS015N10MCLT1G
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
onsemi
1,045
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.55305
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10.5A（Ta），54A（Tc）
4.5V，10V
12.2mOhm @ 14A，10V
3V @ 77µA
19 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 50 V
-
3W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。