单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
45 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）3A（Ta）4A（Tc）7A（Ta），18.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5A，10V100 毫欧 @ 1.5A，10V170 毫欧 @ 2A，10V460 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 5 V8.3 nC @ 10 V9 nC @ 5 V53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
160 pF @ 10 V340 pF @ 25 V430 pF @ 30 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）2W（Ta）3.1W（Ta）3.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223SOT-223-3TUMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMP6023LE-13
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Diodes Incorporated
43,374
现货
250,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.40764
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Ta），18.2A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
76,622
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.02542
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Tc）
5V，10V
100 毫欧 @ 1.5A，10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TUMT3
RSF010P05TL
MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Rohm Semiconductor
9,109
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25974
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
1A（Ta）
4V，10V
460 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 1mA
2.3 nC @ 5 V
±20V
160 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
TO-261-4, TO-261AA
PJW3P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,996
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.69907
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。