单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
TrenchFET®TrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28.9A（Ta），116A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 30A，10V3.4 毫欧 @ 15A，10V4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V165 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3360 pF @ 40 V12000 pF @ 25 V13980 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
5.6W（Ta），92.5W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
876
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
800 : ¥17.33736
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
13980 pF @ 20 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
1,242
现货
1 : ¥30.29000
剪切带（CT）
800 : ¥18.30058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
10V
3.2 毫欧 @ 30A，10V
3.5V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.91664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28.9A（Ta），116A（Tc）
7.5V，10V
3.4 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
3360 pF @ 40 V
-
5.6W（Ta），92.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。