单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
PowerTrench®QFET®TrenchFET®U-MOSIIIUniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）1.1A（Ta）2A（Ta）2.8A（Tc）4.2A（Ta）5.5A（Ta）9A（Tc）16A（Tc）27A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 15A，10V28 毫欧 @ 3A，4V30 毫欧 @ 10A，10V33 毫欧 @ 5.5A，4.5V70 毫欧 @ 2A，4.5V80 毫欧 @ 2A，10V125 毫欧 @ 8A，10V177 毫欧 @ 2.4A，10V220 毫欧 @ 900mA，4.5V280 毫欧 @ 4.5A，10V725 毫欧 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13.6 nC @ 4 V20 nC @ 10 V21 nC @ 5 V30 nC @ 4.5 V31 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
109 pF @ 10 V234 pF @ 100 V298 pF @ 15 V423 pF @ 10 V550 pF @ 30 V800 pF @ 25 V1010 pF @ 10 V1080 pF @ 25 V1160 pF @ 20 V1575 pF @ 25 V1926 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）1.6W（Ta）2W（Tc）2.5W（Ta），55W（Tc）4.8W（Ta），41.7W（Tc）45W（Tc）89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SuperSOT™-6TO-252AAUFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
32,469
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02387
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
70 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
423 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
39,562
现货
147,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,136
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC604P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
onsemi
11,792
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.66336
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta）
1.8V，4.5V
33 毫欧 @ 5.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±8V
1926 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
40,690
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.39552
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
30A（Tc）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
4.8W（Ta），41.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252AA
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
onsemi
16,423
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
16A（Tc）
5V，10V
125 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1575 pF @ 25 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,362
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.5V，4V
28 毫欧 @ 3A，4V
1V @ 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
SG6858TZ
FDC2612
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
onsemi
1,800
现货
9,000
工厂
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.28402
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.1A（Ta）
10V
725 毫欧 @ 1.1A，10V
4.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
234 pF @ 100 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerPak SO-8L
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,774
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Tc）
10V
30 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252AA
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
onsemi
47,500
现货
2,500 : ¥4.14966
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
5V，10V
280 毫欧 @ 4.5A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 5 V
±20V
1080 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），55W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Vishay Siliconix
148,708
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88700
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.8A（Tc）
10V
177 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
-
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。