单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）22A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 65A，10V150 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.1 nC @ 10 V108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 15 V4267 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）2.5W（Ta），63W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DirectFET™ 等距 M4SC-70-3（SOT323）
封装/外壳
DirectFET™ 等距 M4SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
NTS4173PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
onsemi
18,288
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
2.5V，10V
150 毫欧 @ 1.2A，10V
1.5V @ 250µA
10.1 nC @ 10 V
±12V
430 pF @ 15 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
DIRECTFET M4
AUIRF7736M2TR
MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Infineon Technologies
3,848
现货
1 : ¥28.82000
剪切带（CT）
4,800 : ¥13.44663
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Ta），108A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 65A，10V
4V @ 150µA
108 nC @ 10 V
±20V
4267 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M4
DirectFET™ 等距 M4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。