单 FET,MOSFET
结果 : 2
制造商
系列
包装
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
供应商器件封装
封装/外壳
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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11,196 现货 | 1 : ¥37.60000 剪切带(CT) 4,000 : ¥18.28469 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 20A(Ta),124A(Tc) | 10V | 3.5 毫欧 @ 74A,10V | 4V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 11560 pF @ 25 V | - | 3.3W(Ta),125W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | DirectFET™ 等距 L8 | DirectFET™ 等距 L8 | ||
4,667 现货 | 1 : ¥23.07000 剪切带(CT) 3,000 : ¥10.41066 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 120A(Tc) | 10V | 1.4 毫欧 @ 20A,10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 6600 pF @ 25 V | - | 4.8W(Ta),187W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | PowerFlat™(5x6) | 8-PowerVDFN |
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