单 FET,MOSFET

结果 : 4
系列
*CoolMOS™ CFD7AOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)24A(Tc)32A(Tc)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 40A,10V75 毫欧 @ 16.4A,10V99 毫欧 @ 12.5A,10V230 毫欧 @ 5.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 84µA4.5V @ 260µA4.5V @ 630µA4.5V @ 820µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V53 nC @ 10 V64 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1044 pF @ 400 V2513 pF @ 400 V3288 pF @ 400 V4700 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
63W(Tc)127W(Tc)150W(Tc)171W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO252-3PG-TO263-7-3-10
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
7,406
现货
1 : ¥19.95000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.98767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
5 毫欧 @ 40A,10V
3.8V @ 84µA
64 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 50 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Infineon Technologies
2,321
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.44718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 5.2A,10V
4.5V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 400 V
-
63W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
IPP65R115CFD7AAKSA1
IPP65R099CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Infineon Technologies
38
现货
1 : ¥30.62000
管件
*
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 12.5A,10V
4.5V @ 630µA
53 nC @ 10 V
±20V
2513 pF @ 400 V
-
127W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R075CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥54.02000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.09294
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
32A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 16.4A,10V
4.5V @ 820µA
68 nC @ 10 V
±20V
3288 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。