单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 6A，10V550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 16 V879 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）2.1W（Ta）
供应商器件封装
DFN3333-8SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
292,179
现货
5,871,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
DFN3333-8
PJQ4463AP-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
17,744
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.25694
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
879 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。