单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）1.4A（Ta）1.8A（Tc）11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.6 毫欧 @ 18A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V550 毫欧 @ 540mA，4.5V5 欧姆 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 16 V401 pF @ 25 V490 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.3W（Ta）1.9W（Ta）2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
106,589
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12971
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,982
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.83308
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 18A，10V
3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMN2004K-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Diodes Incorporated
21,162
现货
1,263,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRG4RC10UTRPBF
SSR2N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
4,175
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1.8A（Tc）
10V
5 欧姆 @ 900mA，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。