单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCRohm Semiconductor
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 12A，5V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA2.5V @ 3mA
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V540 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
VMT3模具
封装/外壳
SOT-723模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
5,792
现货
1 : ¥53.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥28.63567
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
22A（Ta）
5V
25 毫欧 @ 12A，5V
2.5V @ 3mA
5.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
540 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
726,262
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。