单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）3A（Ta）3A（Tj）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.6 毫欧 @ 10A，10V105 毫欧 @ 3A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V39 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V247 pF @ 30 V476 pF @ 10 V3600 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1.2W1.5W（Ta）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPSOT-23SOT-23-3SST3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
111,894
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
573,626
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI2310B-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
106,280
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Tj）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
1.3V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±16V
247 pF @ 30 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
RRS100P03HZGTB
PCH -30V -10A POWER MOSFET. RRS1
Rohm Semiconductor
1,227
现货
1 : ¥16.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.71152
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
12.6 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
39 nC @ 5 V
±20V
3600 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。