单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.2A（Ta），28A（Tc）18A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 18A，10V6.8 毫欧 @ 15.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 50µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 4.5 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2315 pF @ 15 V5915 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）2.5W（Ta），73W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）8-SO
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
34,248
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.22730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 18A，10V
2.35V @ 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-PQFN
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
onsemi
10,344
现货
48,000
工厂
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.2A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 15.2A，10V
3V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±25V
5915 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。