单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）25A（Ta）， 230A（Tc）430A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 20A，10V2.24 毫欧 @ 50A， 10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.3V @ 147µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
91 nC @ 10 V272 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V6880 pF @ 50 V16010 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）3W（Ta）， 254W（Tc）600W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSON-8-3PowerPAK® 8 x 8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 8 x 8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
392,755
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK-8x8L
SQJQ184E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
3,636
现货
1 : ¥28.08000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.64880
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
430A（Tc）
10V
1.4 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
272 nC @ 10 V
±20V
16010 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
6,022
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.75781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）， 230A（Tc）
8V，10V
2.24 毫欧 @ 50A， 10V
3.3V @ 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 254W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。