单 FET,MOSFET
结果 : 2
包装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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227 现货 | 1 : ¥9.28000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 5.2A(Tc) | 10V | 800 毫欧 @ 3.1A,10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 260 pF @ 25 V | - | 50W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
2,149 现货 | 1 : ¥15.68000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 18A(Tc) | 10V | 180 毫欧 @ 11A,10V | 4V @ 250µA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 |
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