单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）3.2A（Tc）21A（Tc）100A（Ta），430A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.65V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.4 毫欧 @ 30A，10V115 毫欧 @ 2.4A，4.5V140 毫欧 @ 10.5A，10V3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V35 nC @ 5 V310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V+12V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11 pF @ 10 V330 pF @ 10 V2200 pF @ 25 V12430 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）2W（Tc）3.13W（Ta），140W（Tc）6.3W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）SOT-723TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
35,443
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.50382
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
210mA（Ta）
1.65V，4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
PowerPAK SO-8
SIR178DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Vishay Siliconix
1,175
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.14052
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100A（Ta），430A（Tc）
2.5V，10V
0.4 毫欧 @ 30A，10V
1.5V @ 250µA
310 nC @ 10 V
+12V，-8V
12430 pF @ 10 V
-
6.3W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
onsemi
2,270
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
800 : ¥7.45101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
21A（Tc）
5V，10V
140 毫欧 @ 10.5A，10V
2V @ 250µA
35 nC @ 5 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,999
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Tc）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。