单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIOptiMOS™TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V80 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A（Tc）7.7A（Ta）8A（Tc）20A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）33A（Tc）80A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 40A，10V11 毫欧 @ 20A，10V11.2 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 5A，10V32 毫欧 @ 4A，4.5V63 毫欧 @ 4.3A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.2V @ 93µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 23µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V33 nC @ 10 V36 nC @ 8 V48 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V61 nC @ 10 V175 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 25 V2135 pF @ 25 V2569 pF @ 30 V2700 pF @ 30 V4369 pF @ 50 V10850 pF @ 40 V13000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）2.1W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）33W（Tc）120W（Tc）235W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8POWERDI3333-8PowerPAK® 1212-8SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
23,532
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70205
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Tc）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TSDSON-8-34
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,350
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.78219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
STMicroelectronics
13,195
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.97671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 40A，10V
4.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4369 pF @ 50 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC028N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
7,993
现货
1 : ¥22.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.55227
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 93µA
175 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,008
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,739
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.76880
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,548
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.36159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
63 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。