单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
-QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）20A（Ta），93A（Tc）21A（Ta），203A（Tc）46A（Ta），300A（Tc）287A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.92 毫欧 @ 50A，10V1.2 毫欧 @ 50A，10V4.1 毫欧 @ 100A，10V4.7 毫欧 @ 50A，10V140 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 500µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V33.7 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V86 nC @ 10 V178 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1080 pF @ 25 V2164 pF @ 25 V6100 pF @ 25 V8900 pF @ 25 V12100 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），83W（Tc）3.7W（Ta），340W（Tc）3.7W（Ta），79W（Tc）3.9W（Ta），166W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
3,000
现货
1 : ¥44.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥23.20145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
287A（Tc）
4.5V，10V
1.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-252AA
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
onsemi
3,260
现货
17,500
工厂
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.57040
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
15A（Tc）
10V
140 毫欧 @ 7.5A，10V
5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C646NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
onsemi
2,610
现货
1 : ¥18.06000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.58346
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Ta），93A（Tc）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
2164 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-263
NTBGS004N10G
POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
onsemi
1,379
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
800 : ¥34.19415
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21A（Ta），203A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 500µA
178 nC @ 10 V
±20V
12100 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C410NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
onsemi
1,438
现货
1 : ¥35.22000
剪切带（CT）
1,500 : ¥18.20765
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
46A（Ta），300A（Tc）
10V
0.92 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 25 V
-
3.9W（Ta），166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。