单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Goford SemiconductoronsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.9A（Ta），50A（Tc）13A（Ta）16A（Ta），105A（Tc）28A（Tc）35A（Tc）37.1A（Tc）38A（Tc）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 34A，10V13.8 毫欧 @ 25A，10V22 毫欧 @ 7.9A，10V35 毫欧 @ 10A，10V40 毫欧 @ 8.2A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V43 毫欧 @ 9.2A，10V200 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 192µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V41 nC @ 10 V55 nC @ 10 V59 nC @ 10 V124 nC @ 10 V144 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 25 V3128 pF @ 50 V4085 pF @ 50 V4100 pF @ 50 V4600 pF @ 50 V5540 pF @ 15 V6290 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）3W（Ta），125W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）20W（Tc）90W（Tc）106W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-PQFN（5x6）DPAK+PowerPAK® SO-8TO-252TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
5,563
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
5,292
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
50,178
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PQFN
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
onsemi
12,918
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.84627
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.9A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
22 毫欧 @ 7.9A，10V
4V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
4085 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
5,759
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.70930
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
6V，10V
13.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V，-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,584
现货
1 : ¥14.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.72721
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）
4V，10V
200 毫欧 @ 6.5A，10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SQD40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Vishay Siliconix
2,838
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.82615
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
38A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 8.2A，10V
2.5V @ 250µA
144 nC @ 10 V
±20V
5540 pF @ 15 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
onsemi
3,765
现货
1 : ¥17.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.22009
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16A（Ta），105A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 34A，10V
3V @ 192µA
55 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 50 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
G3K8N15KE
GT400P10K
MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Goford Semiconductor
1,260
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.31966
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Tc）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
3128 pF @ 50 V
-
106W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。