单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）150A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.85 毫欧 @ 50A，10V6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
84 nC @ 10 V103 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2840 pF @ 50 V9600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta），170W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,770
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.45708
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Tc）
4.5V，10V
0.85 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 1mA
103 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 20 V
-
1W（Ta），170W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SIR870DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,111
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.93287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。