单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），160A（Tc）217A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 132A，10V2.9 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 150µA3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V185 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6680 pF @ 25 V7305 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），113W（Tc）96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DirectFET™ Isometric MEDIRECTFET™ MX
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MEDirectFET™ 等容 MX
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DirectFET Isometric ME
IRF7480MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Infineon Technologies
17,204
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
4,800 : ¥8.86132
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
217A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 132A，10V
3.9V @ 150µA
185 nC @ 10 V
±20V
6680 pF @ 25 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DirectFET™ Isometric ME
DirectFET™ Isometric ME
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Infineon Technologies
6,381
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
4,800 : ¥10.33874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），160A（Tc）
4.5V，10V
2.9 毫欧 @ 22A，10V
2.4V @ 150µA
130 nC @ 10 V
±20V
7305 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），113W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。