单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCInfineon Technologiesonsemi
系列
eGaN®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.4A（Ta），60A（Tc）100A（Tc）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V4 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 14mA3.8V @ 67µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 5 V54 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V3900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-7
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
12,721
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.25018
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 67µA
54 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
10,119
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.01200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.4A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
62,013
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.13009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。