单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）60A（Tc）70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 40A，10V19.5 毫欧 @ 30A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V85 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V3100 pF @ 50 V5800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）85W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
524,451
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD80N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
STMicroelectronics
1,593
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.54965
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
70A（Tc）
10V
10 毫欧 @ 40A，10V
4.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 50 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD70N10F4
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
STMicroelectronics
2,498
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.84108
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
10V
19.5 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。