单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
154mA（Tj）1.6A（Ta）3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 5.4A，10V115 毫欧 @ 1.6A，4.5V7 欧姆 @ 154mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V451 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）500mW（Ta）1.5W（Ta）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SC-75，SOT-416SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
192,466
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46914
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
1.5V @ 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SOT-23-3
FDN338P
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
46,245
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
451 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7810DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
338
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.72666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.4A（Ta）
6V，10V
62 毫欧 @ 5.4A，10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。