单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）270mA（Ta）200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V4.2 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V153 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V87 pF @ 25 V12000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）380mW（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
442,654
现货
894,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40266
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
69,392
现货
2,712,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
270mA（Ta）
4V，10V
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DDPAK/TO-263-3
CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,467
现货
1 : ¥36.45000
剪切带（CT）
500 : ¥22.01000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。