单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®QFET®SIPMOS®STripFET™ IITrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）27A（Tc）30A（Tc）31A（Tc）32A（Tc）38A（Tc）47A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 20A，10V23 毫欧 @ 64A，10V26 毫欧 @ 23.5A，10V39 毫欧 @ 500mA，10V40 毫欧 @ 15A，10V60 毫欧 @ 16A，10V70 毫欧 @ 13.5A，10V120 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 5.5mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V28.5 nC @ 10 V39 nC @ 10 V43 nC @ 10 V46 nC @ 10 V63 nC @ 10 V110 nC @ 10 V173 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±18V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V900 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1975 pF @ 25 V2100 pF @ 25 V3600 pF @ 25 V5033 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
46W（Tc）70W（Tc）83W（Tc）110W（Tc）120W（Tc）160W（Tc）340W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1TO-220TO-220-3TO-220ABTO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
109,125
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.49782
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
38A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
28.5 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 25 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,166
现货
1 : ¥29.97000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Infineon Technologies
38,305
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP36NF06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
STMicroelectronics
533
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
5V，10V
40 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 5 V
±18V
660 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IXTP18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Littelfuse Inc.
1,712
现货
1 : ¥21.84000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
10V
120 毫欧 @ 9A，10V
4.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±15V
2100 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FQP27P06
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥17.24000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
27A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 13.5A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥21.84000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
32A（Tc）
10V
39 毫欧 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±15V
1975 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FQP47P06
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥26.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
47A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 23.5A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。