单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemi
系列
HEXFET®PolarP™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Tc）10A（Tc）20A（Tc）22A（Tc）32A（Tc）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 24A，10V230 毫欧 @ 20A，10V230 毫欧 @ 500mA，10V260 毫欧 @ 20A，10V350 毫欧 @ 16A，10V350 毫欧 @ 500mA，10V450 毫欧 @ 10A，10V1 欧姆 @ 5A，10V4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V50 nC @ 10 V103 nC @ 10 V180 nC @ 10 V196 nC @ 10 V205 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2840 pF @ 25 V5120 pF @ 25 V11100 pF @ 25 V11500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）200W（Tc）300W（Tc）312W（Tc）460W（Tc）890W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISOPLUS247™PLUS247™-3SOT-227BTO-220-3TO-220ABTO-247（IXTH）TO-252AATO-264（IXTK）TO-268AA
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-264-3，TO-264AATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FQD3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
onsemi
2,777
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.75942
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2.1A（Tc）
10V
4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
660 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,555
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IXTP10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Littelfuse Inc.
1,130
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
10A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 5A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH20P50P
MOSFET P-CH 500V 20A TO247
Littelfuse Inc.
888
现货
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 25 V
-
460W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-247 Plus X
IXTX40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
454
现货
1 : ¥167.48000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
40A（Tc）
10V
230 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
IXYK1x0xNxxxx
IXTN32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
Littelfuse Inc.
220
现货
1 : ¥217.72000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
32A（Tc）
10V
350 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
196 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Littelfuse Inc.
75
现货
1 : ¥309.76000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
40A（Tc）
10V
230 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
TO-268
IXTT20P50P
MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥119.29000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 25 V
-
460W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-264
IXTK32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥169.20000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
32A（Tc）
10V
350 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 1mA
196 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264（IXTK）
TO-264-3，TO-264AA
ISOPLUS247 Pkg
IXTR40P50P
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥153.64867
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
22A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
312W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS247™
TO-247-3
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。