单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Littelfuse Inc.onsemi
系列
HiPerFET™, PolarPowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Ta），94A（Tc）80A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 35A，10V49 毫欧 @ 50A，10V65 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V197 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2525 pF @ 15 V12700 pF @ 25 V20000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
80W（Tc）1040W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-227BTO-252AATO-264AA（IXFK）
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
onsemi
34,075
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.40008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Ta），94A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2525 pF @ 15 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-264
IXFK80N50P
MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Littelfuse Inc.
600
现货
1 : ¥175.36000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
80A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 40A，10V
5V @ 8mA
197 nC @ 10 V
±30V
12700 pF @ 25 V
-
1040W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
IXYK1x0xNxxxx
IXFN100N50P
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Littelfuse Inc.
241
现货
1 : ¥385.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
90A（Tc）
10V
49 毫欧 @ 50A，10V
5V @ 8mA
240 nC @ 10 V
±30V
20000 pF @ 25 V
-
1040W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。